MMFTN20 MMFTN20 n n-channel enhancement vertical d-mos transistor n-kanal vertikal d-mos transistor - anreicherungstyp n version 2010-09-24 dimensions - ma?e [mm] 1 = g 2 = s 3 = d power dissipation C verlustleistung 300 mw plastic case kunststoffgeh?use sot-23 (to-236) weight approx. C gewicht ca. 0.01 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped and reeled standard lieferform gegurtet auf rolle maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) MMFTN20 drain-source-voltage C drain-source-spannung v ds 50 v gate-source-voltage C gate-source-spannung d open v gso 20 v power dissipation C verlustleistung p tot 300 mw 1 ) power dissipation C verlustleistung p tot 250 mw 2 ) drain current C drainstrom (dc) i d 100 ma peak drain current C drain-spitzenstrom i dm 300 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55+150c 1 device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm bauteil montiert auf keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm 2 device mounted on standard pcb material bauteil montiert auf standard-leiterplattenmaterial ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2 . 5 m a x 1 . 3 0 . 1 1.1 0.4 2.9 0.1 1 2 3 type code 1.9
MMFTN20 characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) min. typ. max. drain-source breakdown voltage C drain-source-durchbruchspannung i d = 10 a v (br)dss 50 v drain-source leakage current C drain-source-leckstrom v ds = 40 v i dss 1 a gate-source leakage current C gate-source-leckstrom v gs = 2 0 v i gss 100 na gate-source threshold voltage C gate-source schwellspannung v gs = v gs , i d = 1 ma v gs(th) 0.4 v 1.8 v drain-source on-state resistance C drain-source einschaltwiderstand v gs = 10 v , i d = 100 ma v gs = 5 v, i d = 100 ma v gs = 2.5 v, i d = 10 ma r ds(on) r ds(on) r ds(on) 15 20 30 forward transfer admittance C bertragungssteilheit v ds = 10 v, i d = 100 ma ? g fs ? 40 ms input capacitance C eingangskapazit?t v ds = 10 v, f = 1 mhz c iss 15 pf output capacitance C ausgangskapazit?t v ds = 10 v, f = 1 mhz c oss 15 pf reverse transfer capacitance C rckwirkungskapazit?t v ds = 10 v, f = 1 mhz c rss 5 pf turn-on time C einschaltzeit v gs = 0 ... 10 v, v dd = 20 v, i d = 100 ma t (on) 5 ns turn-off time C ausschaltzeit v gs = 10 ... 0 v, v dd = 20 v, i d = 100 ma t (off) 10 ns thermal resistance junction to ambient air w?rmewiderstand sperrschicht C umgebende luft r tha r tha < 430 k/w 1 ) < 500 k/w 2 ) 1 device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm bauteil montiert auf keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm 2 device mounted on standard pcb material bauteil montiert auf standard-leiterplattenmaterial 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
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